產(chǎn)品展示
半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS；立式LPCVD采用鐘罩式結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)嵌套腔體機(jī)械手傳片組件、舟旋轉(zhuǎn)組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。
LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
專門(mén)用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝； 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié)； 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度；
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝； 設(shè)備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)； 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度。
該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場(chǎng)氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。
該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場(chǎng)氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。
本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石。可激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，從而確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)（無(wú)銥法），將原料放在垂直的坩堝內(nèi)， 然后從坩堝尖端開(kāi)始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長(zhǎng)。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的精確控制。
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。